露光装置の光源はシリコンウエーハに電子回路パターンを露光するために必要な【光】を発生させる物体です。一般的に知られる光源として、太陽、ろうそく、蛍光ランプがあります。写真の原理と同じく光を受け反応して化学変化が発生し、感光することで電子回路を刻むのです。露光装置に使われる光源は、時代とともに進化してさまざまなものが登場してきました。
少しずつ分けて繰り返しステップ露光するステッパ装置の光源は紫外線ランプです。紫外線も複数種あり、70年代～80年代前半は波長の長いg線が主流でした。80年代中盤以降、回路幅がg線の光の波長幅よりも小さくなり、代わりに波長の短いｉ線が採用されるようになりました。
90年代後半からは波長の身近い遠紫外線であるDUV光源が採用されはじめました。DUVは複数種類あり、KrF、ArF、F2などが該当します。2000年初期は波長248nmのKrf光源が量産ラインでの最先端の技術でしたが、これからの次世代DUV光源として、波長193nmのArF光源が導入されはじめました。そのArFの次世代の光源として期待されているのがEUVです。
次世代の半導体露光技術の光源として期待されているのが波長13.5nm EUVです。50nm以下の回路幅にも対応できるものとして、微細化される回路パターンにも対応できます。EUV露光自体は、2005年時点から、Si LSI時代の最後の露光技術として候補に上がっていました。ただし、EUVは強い直進性という特性を持っているため、レンズといった透過光学系だと光の経路をコントロールするのがむずかしく、それがEUV光源の問題点とされています。
その課題を克服するためには、多層膜ミラーの技術開発が欠かせません。少しずつ違う屈性率を持った物質を交互に積層し、EUV光が反射するというものです。原子レベルで幕の厚みをコントロールできる技術が求められています。
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