imecとASMLが高NA-EUVリソグラフィラボの様子を公開

High NA EUVリソグラフィラボの開設について

ベルギーにある半導体研究開発機関「imec」とオランダの半導体製造メーカー「ASML」は、高NA-EUVリソグラフィラボ「High NA EUV Lithography Lab」を開設したと発表しました。

ラボでは、すでにプロトタイプの高NA EUV露光装置の組み立てが完了しており、搬入・設置の様子や装置の概要、高NA-EUVリソグラフィの仕組みを説明する動画も同時公開されています。

2025年から2026年にかけて予定されている高NA-EUV露光装置を用いた半導体の量産に向け、準備が整いつつあることが示唆されています。

TWINSCAN EXE:5000の特徴

リソグラフィ業界を牽引するASMLが開発した高NA-EUVリソグラフィです。2nm以降の微細プロセスを実現するために開発された露光装置で、そのサイズは2階建てバスほどと大規模で、重量は150トンにも及びます。その大きさと重量から組み立てた状態ではラボに搬入できず、250個以上のクレートを43個のコンテナに積まれて運ばれました。

TWINSCAN EXE:5000は、1回の露光で20nmピッチのメタルライン/スペースのパターン形成が可能になり、既存のEUV露光装置と比べて歩留まりが向上します。サイクルタイムが短縮されるほか、CO2の排出量も削減されるとして期待されています。

高NA EUV技術の利点と影響

高NA EUV技術では、既存のEUV装置よりも解像度を最大1.7分の1に縮小できます。これによりデザインルールの自由度が増す他、将来に向けて半導体の微細化をさらに推し進めることができます。

歩留まり向上だけが高NA EUVの目的ではありません。所定の歩留まりに達する時間も短縮できるため、微細・高精度な半導体を量産できるようになるとして期待されています。

まとめ

半導体業界は高NA EUVリソグラフィ技術を積極的に取り入れるべきです。企業は技術革新に対する投資を増やし、研究開発を進めることで競争力を高めることができます。教育機関もこの分野の専門家を育成すれば、未来の技術者を支援するためのプログラムが強化されていくでしょう。