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高NA EUV露光装置をASMLがIntelに出荷

オランダの大手露光装置メーカーASMLは、初の高NA(開口数)EUV(極端紫外線)露光装置をIntelに出荷するとX(旧Twitter)の投稿で発表しました。Intelは、2024年後半に高NA EUV露光装置を導入したIntel 20Aの改良版「Intel 18A」の量産を開始するとしており、当初開始予定だった2025年から前倒しで量産をはじめる方針を公表しています。

Intelは2023年10月、アメリカ・オレゴン州ヒルズボロにある半導体技術開発施設を拡張する大規模投資計画を発表しており、この施設に高NA EUV露光装置が納入されたと見られています。

高NA(開口数)EUV(極端紫外線)露光装置とは

高NA EUV露光装置とは、13.5nmの極端紫外線光を用いた露光手法によってレンズの開口数(NA)を従来の0.33から0.55に拡大した露光装置のことです。

ASMLはEUV露光技術を実用化させた唯一の会社で、半導体の微細化において大きく世界に寄与しています。露光装置を製造する技術を持つメーカーは存在するものの、EUV露光装置を製造できるのはASMLのみです。

高NA EUV露光装置の導入によって、半導体メーカーは今よりも高密度で高性能なマイクロチップを製造できるようになります。これらはスマホやAI、自動運転などさまざまなデジタル技術の開発で用いられており、技術革新には半導体の微細化が不可欠です。

2030年代はNA=0.75の超高NA EUV露光技術が必要?

ベルギーの独立系先端半導体研究機関「imec」の年次イベント「ITF World 2023」でASMLは、2030年代にはNA=0.75という超高NA EUV露光技術の開発が必要であるという見方を示しました。EUV露光装置を用いたトランジスタあたりのコストは1台数百億円ともされています。高NA EUV露光装置ともなればそれよりも莫大なコストがかかりますが、プロセスコストを削減するためにより高NA(開口数)なEUV露光装置が求められると予測しているためです。

半導体の微細化技術は、今後も半導体産業において重要な戦略となります。日本でもRapidusが2024年末にEUV露光装置を導入する計画を明らかにしており、EUV露光技術を用いた技術開発の行方が注目されはじめています。

露光装置パーフェクトガイド

半導体のシリコン基板(ウエハ)などのセンサ・電⼦回路を集約する微⼩電気機械システム(MEMS)をはじめ、⾼精度の電⼦機器の製造⼯程で⽋かせない存在となっている露光装置。量産⽬的、研究開発⽬的に分けておすすめの露光装置を紹介します。