ここでは、Nikon(ニコン)の露光装置の特徴をご紹介します。
露光方式 | ステッパー |
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波長 | i線 |
光源 | 水銀ランプ |
解像力 | ≦280nm |
重ね合わせ精度 | ≦25nm |
毎時200枚以上の高スループットが魅力のステッパーです。投影レンズを吊り下げ、振動を軽減する「スカイフック構造」を採用。さらにウェハステージの高速化とチャンバー内の熱対策を実施することで、超高スループットを可能にしています。
露光方式 | スキャナー |
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波長 | KrF |
光源 | 水銀ランプ |
解像力 | ≦110nm |
重ね合わせ精度 | SMO:≦ 3 nm、MMO:≦ 6nm |
スループットが毎時230枚以上、装置間における重ね合わせ精度が6nm以下を誇るKrFスキャナーです。ウェハステージの位置計測にエンコーダーと干渉計のハイブリッドシステムを採用し、重ね合わせ精度を大幅に向上。「ストレートラインオートフォーカス」でウェハ表面上を一気にマッピングすることで、フォーカス制御精度も改善しています。
露光方式 | スキャナー |
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波長 | ArF |
光源 | 水銀ランプ |
解像力 | ≦38nm |
重ね合わせ精度 | ≧ 275 wafers/hour (96 shots) |
5nmプロセス量産用に開発されたArF液浸スキャナーです。高機能アライメントステーション「inline Alignment Station(iAS)」を搭載することで、重ね合わせ精度とスループットを同時に向上。装置間重ね合わせ精度2.1nm以下、スループット毎時275枚以上という高精度と生産性を実現しています。
ニコンでは、「投影レンズの解像度」「重ね合わせ精度」「スループット」の3つの技術を高いレベルで組み合わせ、精度の高い露光装置を開発・製造しています。
特に、スループットにおいては、1枚のシリコンウェハに数百の半導体を露光するため、シリコンウェハをセットするステージの高速移動・停止を実現するなど、さまざまな技術を搭載。KrFやi線、ドライ式のArFなど多彩なラインナップを揃えているので、量産向け露光装置を検討している方におすすめです。
少量多品種対応装置については、カスタマイズで対応してくれます。
1917年に日本光学工業株式会社として創業以来、光学ガラス、顕微鏡、カメラなど、高度な光利用技術と精密技術でさまざまな製品やソリューションを提供している、日本の光学機器メーカーです。半導体の製造装置や電子部品の欠陥発見に使われる測定機、フラットパネルディスプレイの製造装置、再生医療や創薬などの研究サポート機器など、多彩な製品で、社会のさまざまな分野に貢献しています。
2010年代以降は映像事業を縮小する一方、半導体露光装置事業に力を入れており、ヘルスケア事業などの成長領域にも積極的な投資を行っています。
社名 | 株式会社ニコン |
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本社所在地 | 東京都港区港南2-15-3 品川インターシティC棟 |
営業時間 | ※公式HPに記載なし |
電話番号 | 03-6433-3600 |
公式HPのURL | https://www.nikon.co.jp/ |
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