ここでは、Nikon(ニコン)の露光装置の特徴をご紹介します。

| 露光方式 | ステッパー |
|---|---|
| 波長 | i線 |
| 光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 解像力 | ≦350nm*1 |
| 重ね合わせ精度 | ≦70nm*1(SMO*2) |
NSR-2205iL1は、さまざまな半導体デバイスの効率的な生産を可能にするi線ステッパーで、優れたコストパフォーマンスと幅広いプロセス対応力を備えています。ウェハサイズや厚み、反りに柔軟に対応できる設計で、パワー半導体やMEMSなど多様なデバイスの製造に適しています。また、ニコンの既存装置との高い互換性により、既存資産であるマスクやレシピの流用が可能で、置き換えや導入コストを最小限に抑えることができます。さらに、メンテナンス性を向上させ、長期使用を見据えた設計が施されており、安定したデバイス生産を支える信頼性の高い装置です。

| 露光方式 | スキャナー |
|---|---|
| 波長 | ArF |
| 光源 | 水銀ランプ |
| 解像力 | ≦38nm |
| 重ね合わせ精度 | ≦2.1nm(MMO*1) |
ArF液浸スキャナー「NSR-S636E」は、重ね合わせ精度とスループットの両立を実現しています。この装置は、三次元化が進む半導体デバイスの製造において、ウェハの反りや歪みを高精度に補正するため、改良されたインラインアライメントステーション(iAS)を搭載。解像度38nm以下、スループット280枚以上の性能を持ち、従来機種比で生産性を10-15%向上させました。「NSR-S636E」は、DXの進展に伴う高性能半導体の需要に応え、三次元半導体など複雑な構造の製造プロセスにおいて優れたパフォーマンスを発揮し、デジタル社会の発展に寄与する画期的なソリューションです。

| 露光方式 | ステッパー |
|---|---|
| 波長 | i線 |
| 光源 | 水銀ランプ |
| 解像力 | ≦280nm |
| 重ね合わせ精度 | ≦25nm |
毎時200枚以上の高スループットが魅力のステッパーです。投影レンズを吊り下げ、振動を軽減する「スカイフック構造」を採用。さらにウェハステージの高速化とチャンバー内の熱対策を実施することで、超高スループットを可能にしています。

| 露光方式 | スキャナー |
|---|---|
| 波長 | KrF |
| 光源 | 水銀ランプ |
| 解像力 | ≦110nm |
| 重ね合わせ精度 | SMO:≦ 3 nm、MMO:≦ 6nm |
スループットが毎時230枚以上、装置間における重ね合わせ精度が6nm以下を誇るKrFスキャナーです。ウェハステージの位置計測にエンコーダーと干渉計のハイブリッドシステムを採用し、重ね合わせ精度を大幅に向上。「ストレートラインオートフォーカス」でウェハ表面上を一気にマッピングすることで、フォーカス制御精度も改善しています。

| 露光方式 | スキャナー |
|---|---|
| 波長 | ArF |
| 光源 | 水銀ランプ |
| 解像力 | ≦38nm |
| 重ね合わせ精度 | ≧ 275 wafers/hour (96 shots) |
5nmプロセス量産用に開発されたArF液浸スキャナーです。高機能アライメントステーション「inline Alignment Station(iAS)」を搭載することで、重ね合わせ精度とスループットを同時に向上。装置間重ね合わせ精度2.1nm以下、スループット毎時275枚以上という高精度と生産性を実現しています。

| 露光方式 | スキャナー |
|---|---|
| 波長 | ArF |
| 光源 | excimer laser |
| 解像力 | ≦38nm |
| 重ね合わせ精度 | ≦2.5nm(MMO*1) |
ArF液浸スキャナー「NSR-S625E」は、ミドルクリティカルレイヤー向けに開発された露光装置で、スループットを従来機種比で約1.3倍向上させるとともに、装置の稼働安定性を大幅に改善したことで、高い生産性を実現しました。この装置は、解像度38nm以下、スループット280枚以上、重ね合わせ精度1.7nm以下(SMO)を達成し、iAS(インラインアライメントステーション)を搭載してウェハの高精度な計測と補正を可能にすることで、さまざまな半導体デバイスの効率的な生産に貢献します。10年以上の販売実績を持つ「NSR-S622D」の後継機として開発され、多様化する半導体製造のニーズに応える高性能な装置です。

| 露光方式 | スキャナー |
|---|---|
| 波長 | ArF |
| 光源 | excimer laser |
| 解像力 | ≦65nm |
| 重ね合わせ精度 | ≦5nm(MMO*1) |
ArFスキャナー「NSR-S322F」は、重ね合わせ精度とスループットを大幅に向上させた先進的な露光装置で、10ナノメートルノードプロセスの半導体デバイス製造に対応します。この装置は、空気揺らぎの影響を抑える新干渉計システムや、短時間での高精度アライメント計測を可能にするストリームアライメント技術を採用しており、重ね合わせ精度2.0nm以下、スループット230枚以上を実現します。また、モジュール構造を改善したことで、迅速な立ち上げとメンテナンス性の向上も図られており、安定した高精度生産を支援する信頼性の高い装置です。

| 露光方式 | 記載なし |
|---|---|
| 波長 | 記載なし |
| 光源 | i線相当 |
| 解像力 | 1.0 μm L/S |
| 重ね合わせ精度 | ≦ ±0.3 μm |
解像度、重ね合わせ精度、スループットを高レベルで実現したデジタル露光装置です。フォトマスクが不要となっており、大型のアドバンスパッケージングにも対応が可能。1.0μm L/Sの高解像度かつ600mm角の大型基板に対応しています。

| 露光方式 | 記載なし |
|---|---|
| 波長 | 記載なし |
| 光源 | 記載なし |
| 解像力 | 2.2 µm (g+h+i-line) |
| 重ね合わせ精度 | ≦ ±0.5 µm |
高精細大型パネルの生産に対応したFPDスキャナー。高タクトタイムを達成していることに加え、2.2µmの高解像度も実現している点が特徴です。また、高い重ね合わせ精度・スループットも実現。マルチレンズシステムを搭載しています。
ニコンでは、「投影レンズの解像度」「重ね合わせ精度」「スループット」の3つの技術を高いレベルで組み合わせ、精度の高い露光装置を開発・製造しています。
特に、スループットにおいては、1枚のシリコンウェハに数百の半導体を露光するため、シリコンウェハをセットするステージの高速移動・停止を実現するなど、さまざまな技術を搭載。KrFやi線、ドライ式のArFなど多彩なラインナップを揃えているので、量産向け露光装置を検討している方におすすめです。
少量多品種対応装置については、カスタマイズで対応してくれます。
露光装置は製造工程の一部で使用するものであるため、単体では機能しません。前後の工程や装置の内部で連携する主な周辺装置についても、同一メーカーで揃えることがおすすめです。ここでは、Nikonの露光装置の主な周辺機器や補助装置をご紹介します。

| 型式 | OPTISTATION-3200 | OPTISTATION-3100 | OPTISTATION-3000 |
|---|---|---|---|
| 対象工程 | 前工程 ,(後工程) | (前工程), 後工程 | 後工程 |
| ロードポート数 | 2 | 1 | 1 |
| ウェハサイズ | 300 mm専用, 200 mm専用 |
300 mm専用, 200 mm専用, 300・200兼用 |
300 mm専用, 200 mm専用, 300・200兼用 |
| 顕微鏡検査 | ◯(自動ステージ) | ◯(自動ステージ) | ◯(手動ステージ) |
| マクロ検査 | ◯ | ◯ | ◯ |
OPTISTATION-3200/3100/3000は、マクロ検査、顕微鏡検査を1台で実現することができる外観検査装置です。半導体製造の前工程から後工程に至るまで、幅広い実績を持ち、生産性の飛躍的な向上につなげられます。

半導体露光装置にて培ってきた、ニコンの独自技術を活用している高機能アライメントステーションです。露光前の全ウェハに対し、高速・高精度でグリッド計測を実施することが可能。補正値を露光装置にフィードフォワードし、スループットを落とさず重ね合わせ精度を高めることができ、製品の歩留まりや設備投資効率の向上につなげられます。
詳細の仕様は直接お問い合わせください。
1917年に日本光学工業株式会社として創業以来、光学ガラス、顕微鏡、カメラなど、高度な光利用技術と精密技術でさまざまな製品やソリューションを提供している、日本の光学機器メーカーです。半導体の製造装置や電子部品の欠陥発見に使われる測定機、フラットパネルディスプレイの製造装置、再生医療や創薬などの研究サポート機器など、多彩な製品で、社会のさまざまな分野に貢献しています。
2010年代以降は映像事業を縮小する一方、半導体露光装置事業に力を入れており、ヘルスケア事業などの成長領域にも積極的な投資を行っています。
ニコンは産業用光コムを開発するベンチャー企業XTIAと資本業務提携を締結し、XTIAの高精度測定技術とニコンの映像・精機事業で培ったノウハウを融合。光コム技術を用いた除去加工装置は、切削抵抗や熱変形のない歪みフリーな微細加工を低コストで実現し、ドリルで届かない隠れた箇所や複雑形状にも対応可能です。さらに、測定レーザーと加工レーザーを同軸で照射する「同軸計測加工」により、加工と計測を一体化し、隠れた部位でも一切のズレなく高精度に処理できることを確認。今後も同技術を応用した新製品の開発を進めていきます。
| 社名 | 株式会社ニコン |
|---|---|
| 本社所在地 | 東京都港区港南2-15-3 品川インターシティC棟 |
| 営業時間 | ※公式HPに記載なし |
| 電話番号 | 03-6433-3600 |
| 公式HPのURL | https://www.nikon.co.jp/ |
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