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【半導体の微細化動向】2027年には1.4nm世代へ

半導体大手のインテルは、2024年2月21日、ファウンドリー関連事業の自社イベント「IFS Direct Connect 2024」で、1.4nm世代までのロードマップを発表しました。ロードマップによると、2027年頃の量産開始を目標としており、高開口数(NA)のEUV露光装置を導入することなどで実現を目指すとしています。

競合である韓国のサムスン電子や台湾のTSMCも2027年ごろに1.4nm世代の量産を開始すると宣言しており、インテルもそれに加わった形です。

日本でもRapidus(ラピダス)への提供を念頭に入れた1.4nm世代の研究開発が始まります。

現行の半導体は3nm世代で、最先端プロセスの1.4世代は2世代先に相当する技術です。

形勢逆転をはかるIntel

インテルはこれまで、半導体の受託製造で競合のサムスン電子やTSMCにおくれをとっていました。しかし、パット・ゲルシンガー氏が最高経営責任者に着任して以降、「2025年までに競合企業に追いつき追い越す」という目標を掲げ、最先端プロセスの技術開発に注力してきました。

インテルは7nm世代・4nm世代・3nm世代・2nm世代(Intel20A)、1.8nm世代(Intel18A)の5種類のプロセスノードを4年間で実現するスローガンを掲げ、目標を達成できれば2024年中には20Aと18Aの量産を開始できる予定です。

また、インテルが製造プロセスに適用する「裏面電源配線」は、電源の安定性を高めてトランジスタの性能を向上できる世界初の技術で、2nm世代以降で採用しています。

裏面電源配線を1.4nm世代で実用化できれば、競合との形勢が逆転するのではないかとして業界から注目が集まっています。

参照元:日経XTECH「半導体は27年に1.4nm世代へ、インテルが方針を明らかに」
(https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/08937/)

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